삼성전자, ‘28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM’ 출하

저전력 특성 공정에 차세대 내장 메모리 기술 접목… 파운드리 리더십 강화
디램의 빠른 속도와 플래시의 비휘발성 장점 결합
기존 eFlash 대비 1000배 빠른 메모리 쓰기 속도 구현

2019.03.08 09:55:20
스팸방지
0 / 300

서울특별시 서초구 남부순환로 2311-12 (우)06714 등록번호 : 서울,아52858 | 등록일 : 2020.02.11 | 발행인 : 김선옥 | 편집인 : 윤주이 | 전화번호 : 02-588-7036 | 이메일 : aen@agemnews.co.kr Copyright ©2020 농업환경뉴스. All rights reserved.